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半導(dǎo)體及材料測(cè)試

半導(dǎo)體材料的突破帶來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)革命，引領(lǐng)了尖端新器件的研發(fā)。3DFlash存儲(chǔ)器、人工智能芯片、MEMS/sensor芯片、GaN/SiC功率半導(dǎo)體器件等前所未有的應(yīng)用推動(dòng)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

二極管 / 晶體管 / 場(chǎng)效應(yīng)管 IV曲線測(cè)試

半導(dǎo)體應(yīng)用案例
二極管IV曲線測(cè)試
IV曲線測(cè)試

DC到DC轉(zhuǎn)換器測(cè)試

半導(dǎo)體應(yīng)用案例
DC到DC轉(zhuǎn)換器測(cè)試

SMUs可以讓用戶靈活地同時(shí)提供和測(cè)量電流和電壓。VOUT端子上的電流源使得用戶能夠改變負(fù)載。 通過(guò)使用兩條通道，吉時(shí)利SMU進(jìn)一步簡(jiǎn)化了測(cè)試，因?yàn)橛脩糁恍枰獙?duì)一臺(tái)儀器編程。

IGBT/power nMOSFET等大功率器件測(cè)試

半導(dǎo)體應(yīng)用案例
大功率器件測(cè)試

典型參數(shù)

  • 擊穿電壓(Bvdss, Bvceo)
  • 開(kāi)態(tài)電流(Vdson, Vcesat, Vf)
  • 漏極/集電極泄漏(Idss, Ir/Icbo,Iceo)
  • 閾值或截止電壓(Vth, Vf, Vbeon)
  • 基極泄漏(Igss, Ib)
  • 正向傳輸(yfs, Gfs, Hfe, gain)
  • 電容 (Ciss, Coss, Crss)
配置選型指南
型號(hào)1 集電極/漏極電源2 階躍發(fā)生器 基極/柵極 電源 輔助 電源
高壓 模式 高流 模式
低功率 2600-PCT-1B 200 V/10 A 200 V/10 A 200 V/10 A N/A
高流 2600-PCT-2B 200 V/10 A 40 V/50 A 200 V/10 A 200 V/10 A
高壓 2600-PCT-3B 3 kV/120 mA 200 V/10 A 200 V/10 A 200 V/10 A
高流和高壓 2600-PCT-4B 3 kV/120 mA 40 V/50 A 200 V/10 A 200 V/10 A
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